Кругляк Ю. О. Фізика MOSFET нанотранзисторів: фундаментальні границі та обмеження / Ю. О. Кругляк, М. В. Стріха // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2021. – Т. 18, № 3. – С. 4-28.

Р/2011

В останній із серії методично-оглядових статей, присвячених фізиці сучасних нанотранзисторів і призначених для дослідників, інженерів, студентів і викладачів вищої школи, показано, що наявність мінімальної енергії запису одного біту інформації призводить до появи фундаментального обмеження на мінімальну довжину каналу MOSFET і на мінімальний час перемикання транзистора. Отримана проста оцінка L_mjn = 1.2 нм (для кімнатної температури) є, очевидно, дещо заниженою, і реально навряд чи вдасться створити кремнієвий транзистор з довжиною каналу, меншою від 2,5–3 нм. Це корелює з результатами чисельного моделювання електронного транспорту через канал, які показують, що для коротких каналів дедалі більша частина струму проходить уже тунельно під вершиною бар’єру, і відтак транзистор втрачає функціональність, оскільки струм у колі витік-стік уже не регулюється напругою на затворі.

Магнітоопір графітових нанопластинок з різною структурою / I. V. Ovsiienko, Т. A Len, О. A. Syvolozhskyy [and as.] // Фізика низьких температур. – 2021. – Т. 47, № 10. – С. 928-937. – Текст англ.

Р/349

Досліджено магнітоопір об’ємних зразків графітових нанопластинок, отриманих різними методами, в магнітних полях до 2.2 Тл. Для графітових нанопластинок, приготованих хімічною обробкою вихідного графіту розчином перманганату калію в сірчаній кислоті, магнітоопір є від’ємним. Цей від’ємний магнітоопір можна пояснити з погляду моделі слабкої локалізації носіїв заряду в системі з недосконалою структурою. Для графітових нанопластинок, отриманих методом ультразвукової обробки, магнітоопір є додатним і не залежить від температури. Більш того, в магнітному полі понад ~ 0,7 Тл магнітоопір є лінійним щодо магнітного поля. Показано, що лінійний магнітоопір можна пояснити з погляду квантового лінійного магнітоопору моделі Абрикосова.

Мишак В. Д. Дослідження впливу природи поверхні наповнювача на властивості гібридних органо- неорганічних нанокомпозитів на основі епоксидного олігомеру / В.Д. Мишак, В. В. Семиног, Н. В. Козак // Полімерний журнал. – 2021. – Т. 43, № 3(171). – С. 190-197.

Р/1392

Досліджено вплив хімічної природи поверхні високодисперсного аеросилу на термічні властивості нанокомпозитів на основі епоксидного олігомеру ЕД-20. Вивчено особливості процесу термоокиснювальної деструкції.

Модель потенціального бар’єра, що виникає в гідрошарі, локалізованому у двошаровій пористій наноструктурі / Ю. Ю. Бачеріков, О. Б. Охріменко, В. Ю. Горонескуль [та ін.] // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2021. – Vol. 24, № 3. – P. 288-294.

Z/1973

Запропоновано модель потенціального бар’єра, який виникає у процесі взаємодії двох компактованих шарів, які складаються з наночастинок гідрофільного оксиду різного розміру у кожному шарі, при насиченні такої структури адсорбованою водою. Теоретично розраховано залежність густини об’ємного заряду пресованого порошкового матеріалу від щільності частинок у ньому. Отримано розподіл потенціалу по товщині контакта двох шарів, які складаються з наночастинок різного розміру.

Дивитись всю виставку за посиланням